Grenzflaechenreaktionen an MIS (Metall-Isolator-Silizium)-Schichten
Projektleitung und Mitarbeiter
Gaukler, K. H. (Prof. Dr. rer. nat.), Reichl, R. (Dr. rer. nat.)
Forschungsbericht :
1990-1992
Tel./ Fax.:
Projektbeschreibung
Voraussetzung fuer die Anwendung von MIS-Schichten z. B. als
Solarzellen ist die chemische Stabilitaet der verwendeten
Schichten. Nachdem sich ergeben hatte, dass die Oberflaechen von
Scandium und Yttrium durch Selbstpassivierung sehr stabil sind, wurden
moegliche Reaktionen an der Grenzflaeche Metall/Isolator mittels
Photoelektronenspektroskopie untersucht. Waehrend unmittelbar beim
Herstellungsprozess (Aufdampfen) sowohl bei Scandium wie bei Yttrium
eine Redoxreaktion des Metalls mit der darunterliegenden
Isolatorschicht (Siliziumoxid) beobachtet wurde, treten anschliessend
keine weiteren Grenzflaechenreaktionen mehr auf.
Mittelgeber
Publikationen
Reichl, R., Gaukler, K. H.: XPS study of the Y/SiOx interface at room
temperature. - Surf. Interface Anal. 15, 211-214 (1990).
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- Stand: 15.09.96
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